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當前位置:首頁產品中心SIMCO思美高5645 | 低調型SIMCO思美高MP 5V 低矮離子發生器
SIMCO思美高MP 5V 低矮離子發生器

產品簡介

SIMCO思美高MP 5V 低矮離子發生器,這提高了性能,同時將整體高度降低到2.6英寸(65.3毫米),以滿足空間受限的應用需求。

產品型號:5645 | 低調型
更新時間:2026-02-27
廠商性質:經銷商
訪問量:123
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SIMCO思美高MP 5V 低矮離子發生器

低調調制脈沖反饋控制氣動桿®

Simco-Ion, Technology Group的 Modulated Pulse (MP) Technology離子化棒現在配有低剖面單晶硅發射器噴嘴。這提高了性能,同時將整體高度降低到2.6英寸(65.3毫米),以滿足空間受限的應用需求。5645 MP棒被設計用于為半導體后端封裝和測試應用以及前端需要超清潔環境的應用提供行業平衡離子化性能,具有快速放電時間、低擺動電壓和精確平衡的特點。 

當與Novx System或Novx Inside配合使用時,監控和反饋控制,5645可以比±5V更好地維持精確的平衡。該條形可以輕松調整和微調電壓、頻率和平衡,以滿足環境敏感性和產品規格的要求。5645 MP條形有14種長度可供選擇,從350-2350毫米。

  • ±5V 與 Novx 系統或 Novx Inside 版本

  • ISO 14644-1 1級和擴展ISO 1級帶SCSi發射器

  • 集中化電力和控制,通過廣泛可調的MP控制軟件

  • 傳感器輸入、FMS連接、報警、電源和通信位于酒吧的同一端。

  • 規格

  • 電壓輸入:24 VDC ±10%,0.7A
    輸出:13.5 kV 峰峰值
    排放15秒(典型)在距AeroBar中心24英寸處測量,無氣動輔助
    余額<±5V,Novx系統或Novx內置;<±20V,獨立式
    離子發射調制脈沖 (MP) 技術
    發射器單晶硅
    潔凈室等級ISO 14644-1 1級 & 擴展ISO 1級
    維度2.6英寸高 x 1.3英寸寬 x 13.8/17.7/23.6/33.5/39.3/45.3/51.2/57.1/63.0/69.0/74.8/80.7/86.6/92.5英寸長(6.5 x 3.4 x 35/45/60/85/100/115/130/145/160/175/190/205/220/235厘米)
  • 目標市場

    超凈電離和靜電放電保護,適用于后端、半導體、前端半導體和G通用電子組件

  • 目標應用

    半導體后端制造工藝

    晶圓探針
    背面研磨
    晶圓固定
    晶圓調平

     

    芯片粘接
    線鍵合
    去帽成型

     

    切丁
    測試
    碰撞

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