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SIMCO思美高局部區域離子發生器

產品簡介

SIMCO思美高局部區域離子發生器,穩態直流離子發射與內在平衡電離,單晶硅或鈦發射點
多種長度,包括短11英寸的AeroBars

產品型號:5685
更新時間:2026-02-27
廠商性質:經銷商
訪問量:111
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SIMCO思美高局部區域離子發生器

穩態直流離子發射與內在平衡電離

Simco-Ion, 技術集團的 AeroBar 離子發生器型號 5685 專為控制迷你環境、層流罩和工作站中的靜電荷而設計。型號 5685 具有獨特的空氣動力學設計,子化局部區域而不干擾層流。在 12-24 英寸距離的層流氣流應用中,型號 5685 使用穩態直流離子發射和 Simco-Ion 的IsoStat® 技術。IsoStat 技術保證內在平衡的離子化。不需要復雜的反饋電路來保持平衡,也無需調整。

  • IsoStat® 技術

  • 穩態直流離子發射用于高離子密度

  • 單晶硅或鈦發射點

  • 多種長度,包括短11英寸的AeroBars


SIMCO思美高局部區域離子發生器

規格

電壓輸入:24伏交流電(±10%),50-60赫茲,3.5瓦
輸出:7.5千伏(典型)
排放25秒或更短時間用于在24英寸距離內,從±1000V到±100V放電,最小氣流為60英尺每分鐘
余額±50V @ 24" (61.0 cm) 直接測量在兩個相對極性的發射點正下方(型號5685應至少距接地表面6英寸(15.2厘米)以獲得平衡性能)
離子發射穩態和等統計技術
發射器鈦或單晶硅
潔凈室等級ISO 14644-1 3級
維度2.07英寸高 x 1.16英寸寬 x 11.4 / 22.4 / 44.4 / 64.4英寸長 (52.6 x 29.5 x 29.0 / 56.9 / 112.8 / 163.6 厘米)
重量每英尺桿長0.56磅(每30.5厘米0.256千克)

目標市場

  • 后端半導體處理

  • 前端半導體制造


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